Napredna postrojenja Efikasna proizvodnja1) obratna struja silicijum dioda je znatno manja od one diode germanija. Germanijumska cijev je mA klasa, a silikonska cev je nA nivo. Ovo je zbog toga što je na istoj temperaturi ge je oko tri reda veće od silicijuma, pa pod istom doping koncentracijom koncentracija silicijumskih Jane manja od Jane koncentracije germanija, tako da je silicijumska povratna struja zasićenja jako mala.
2) kada je naponski napon veoma mali, struja dioda je vrlo mala, a tek nakon što naponski napon dostigne određeni broj Ur, struja će se znatno povećati. Uobičajeno je da se napon Ur naziva napon praga dioda, poznat i kao napon mrtve zone ili prag napona. Prag napona silikonske diode je veći od pragovnog napona germanijumske diode, jer je silicijum dioda daleko manji od onog na germanijumskoj diodi. Prag napona opšte silikonske diode je oko 0.5v ~ 0.6v, a pragovni napon germanijum dioda je oko 0.1V ~ 0.2V.